به گزارش خبرگزاری مهر، شرکت اینتل در روزهای گذشته حافظه های فلش "ناند" جدیدی را برپایه فناوری 20 نانومتری معرفی کرد.
اکنون شرکت ژاپنی توشیبا با هدف حفظ بازار رقابت با اینتل در همکاری با شرکت "سن دیسک" قصد دارد حافظه های فلش ناند 19 نانومتری را ارائه کند.
این حافظه های فلش ناند که تا پایان سه ماهه دوم 2011 وارد بازار می شوند می توانند ابزاری ایده آل برای ساخت حافظه های داخلی دستگاههای قابل حملی چون تلفنهای همراه هوشمند و تبلتها باشند.
در مرحله اول عرضه این حافظه های جدید 19 نانومتری، تنها حافظه های فلش ناند 2 بیتی برای هر پیل ارائه می شود و از نیمه دوم سال جاری نسخه های 3 بیتی برای هر پیل نیز تولید خواهد شد.
براساس گزارش وب نیوز، هر ماژول این حافظه ها 64 گیگابایت را عرضه می کنند و با ترکیب حافظه های بیشتر می توان ظرفیت ذخیره سازی را افزایش داد.
به طوریکه با ترکیب 16 واحد می توان یک ماژول با حجم 128 گیگابایت را به دست آورد. درحال حاضر حافظه های فلش تبلتها و تلنفهای همراه هوشمند حداکثر 32 گیگابایت گنجایش دارند.
نظر شما