به گزارش خبرگزاری مهر، حافظه های فلاش به حافظه هایی می گویند که در تلفنهای همراه، دوربینهای دیجیتالی و در بسیاری دیگر از دستگاههای الکترونیکی مصرفی به کار می روند.
اکنون دانشمندان دانشگاه کورنل در ایالت نیویورک نشان دادند که با کمک ماده کربنی "فولرن" می توان تا حد چشمگیری قدرت این حافظه های افزایش داد.
فولرنها مولکولهایی هسنتد که تنها از اتمهای کربن تشکیل شده اند. درحقیقت فولرنها مولکولهایی شبکه ای با شکل هندسی بیست وجهی هستند. این مولکول‌ها می‌توانند در اشکال C60 ،C70 و C78 و ... باشند. C60 از گرما دادن گرافیت تشکیل می‌شود.
حافظه فلاشی که با قطع جریان الکتریکی پاک نمی شوند حتی بدون جریان برق نیز عمل می کنند. "صفر" و "یک"هایی که واحدهای اطلاعات دو گانه "صفر و یک" را نشان می دهند در مداری که محتوی یک ترانزیستور جزیره ای است و با یک لایه نازک اکسید سیلیسیوم عایق شده است حرکت می کنند.
برای نوشتن و یا پاک کردن این اطلاعات در حافظه، جریان برق بیش از حد پمپاژ می شود و الکترونها در ترانزیستور جریان می یابند اما با گذشت زمان بخشی از این الکترونها می توانند خارج از استفاده شوند به طوری که در حال حاضر سازندگان حافظه های فلاش برای این محصولات یک تضمین 10 ساله می دهند.
جریان برق لازم برای عملیات پاک کردن و یا نوشتن اطلاعات نسبتا بالا است و به پتانسیلهای مختلفی برای عملکرد آنها نیاز است. مرحله به مرحله این فشار می تواند مدارات حافظه های فلاش را ضعیف کند.
اکنون این دانشمندان که نتایج یافته های خود را در مجله Applied Physics Letters منتشر کرده اند موفق شدند با استفاده از این فولرنها رزونانسهایی ایجاد کنند که جریان برق را در طول مراحل نوشتن و یا پاک کردن اطلاعات در فشار بالا تقویت می کند. به این ترتیب فشار به کار رفته می تواند کم شود و در نتیجه عملکرد، توان و عمر این حافظه ها افزایش یابد.
نظر شما