بررسی اثر نقص بر خواص الکتریکی و مغناطیسی نانولوله‌های بورون نیترید توسط محققان کشور

به گزارش خبرگزاری مهر، دکتر رستم مرادیان عضو هئیت علمی گروه فیزیک دانشگاه رازی کرمانشاه نانولوله‌های بورون نیترید را نیمه‌ رساناهایی با گاف بزرگ دانست که معمولاً گاف آنها بر حسب قطر از حدود 2/1 تا 4ev است و با افزایش قطر، گاف این نانولوله ‌ها زیاد شده و به حدود4ev که گاف یک صفحه بورون نیترید است، می‌رسد.

وی با بیان اینکه این پروژه در قالب پروژه دکتری سام آزادی به بررسی اثر نقص های "نیتروژن" و "بورون" در نانولوله های "بورون نیترید" پرداخته شد، گفت: نانولوله های بورون نیترید در دستگاه های "اپتوالکترونیک" کاربردهای بسیاری دارند ضمن آنکه به دلیل گاف متغیر این نانولوله ها می‌توان از آنها در لیزرهای نیمه ‌رسانا با طول موج های متغیر نیز استفاده کرد. با توجه به کاربرد این نانولوله ها لازم است که تاثیر نقص ها و جاهای خالی بر خواص مغناطیسی و الکتریکی آنها بررسی شود.

مرادیان ادامه داد: ما برای بررسی اثر نقص بر خواص الکتریکی و مغناطیسی نانولوله بورون نیترید تعدادی از نیتروژن ها و بورون ها را برداشته و با استفاده از تئوری تابعی چگالی، تغییرات صورت گرفته را مورد بررسی قرار دادیم. نتایج حاکی از آن است که نقص ها یا جاهای خالی سبب ایجاد خاصیت مغناطیسی‌ شدگی در نانولوله های بورون نیترید شده و یک سیستم نیمه ‌رسانای مغناطیسی تشکیل می‌شود.

به گفته مرادیان، تحلیل یافته ها نشان می‌ دهد که بین نقص‌های بورون و نیتروژن اختلاف وجود دارد. از این رو می ‌توان از این نانولوله ها در دستگاه های "اسپین الکترونیک" (برای ضبط اطلاعات و تقویت جریان) استفاده کرد.

جزئیات این پژوهش که از حمایت‌های تشویقی ستاد بهره‌مند شده در مجله Europhysics Letters، (جلد 83 ، صفحه 17007، سال 2008) منتشر شده است.