به گزارش خبرگزاری مهر، مهندس بهناز قره خانلو مجری طرح گرافن را نوعی نیمخ رسانا دانست و گفت: در این نیمه رسانا، گاف انرژی بین نوارهای انرژی هدایت و ظرفیت وجود ندارد که این امر سبب ایجاد ویژگیهای الکترونیکی، نوری و مکانیکی منحصر به فرد در این ماده می شود و کاربردهای جالبی را برای این ماده موجب می شود.
وی افزود: در این ماده، امکان کنترل هدایت الکتریکی به وسیله اعمال ولتاژ گیت خارجی وجود دارد ولی به علت عدم وجود گاف انرژی، امکان قطع هدایت وجود ندارد.
قره خانلو راه حل این مشکل را ایجاد گاف انرژی در نوارهای انرژی گرافن دانست و اظهار داشت: یکی از راههای ایجاد گاف انرژی ایجاد نقصهای خنثی در بلور گرافن است. نقصهای خنثی فضاهای خالی هستند که در اثر حذف برخی اتمهای کربن از شبکه گرافن به وجود می‌آیند. همچنین با الگوسازی مناسب این نقصها در ساختار گرافن تک لایه می توان گاف انرژی ایجاد شده در نقاط دیراک را کنترل کرد.
مجری طرح ادامه داد: نتایج حاصل از تغییر تعداد و موقعیت اتمهای حذف شده از شبکه گرافن روی گاف انرژی قابل استخراج است که از این نتایج می توان در ساخت قطعات الکترونیک بر مبنای دیود و ترانزیستورهایی از جنس گرافن بهره برد.
نظر شما