به گزارش خبرگزاری مهر، مهندس زهیر کردرستمی مجری این طرح با اشاره به کوچک شدن ابعاد نانو ترانزیستورهای سیلیکونی در سالهای اخیر گفت: ادامه روند کوچک کردن ترانزیستورها نیاز به جایگزین مناسبی داشت که محققان نانو لوله های کربنی را به عنوان کانال ترانزیستور، مناسب ترین جایگزین برای آنها معرفی کردند.
وی افزود: با کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورها، مبانی فیزیک الکترونیک رایج برای درک صحیح رفتار قطعه الکترونیکی، پاسخگو نیستند لذا آشنایی با مبانی جدید فیزیک الکترونیک و مکانیک کوانتمی برای شناخت قطعات نانو الکترونیک بسیار ضروری به نظر می رسد.
کردرستمی ادامه داد: از این رو پژوهشی با هدف آشنایی با روشهای جدید ایجاد شده در دنیای الکترونیک برای درک عملکرد قطعات نانومتری و ارائه نتایج جدید برای رفتار یک ترانزیستور نانولوله کربنی تحت کشش در پژوهشکده فناوری نانو دانشگاه شیراز انجام شد.
وی با بیان اینکه برای بررسی این نانوترانزیستورها، توزیع انرژی پتانسیل الکترونها و حفره ها در طول کانال را به صورت تحلیلی به دست آوردیم، اظهار داشت: در این تحقیق همچنین اثر سه نوع کشش مکانیکی بر روی گاف انرژی نانو لوله کربنی را محاسبه کردیم و میزان تغییرات ضریب عبور کانال و جریان ترانزیستور ناشی از آنها را به دست آوردیم. به این ترتیب با این روش می توان اثرات ناشی از کشیدگی احتمالی نانو لوله کربنی در حین فرآیند ساخت در مشخصات خروجی ترانزیستورها را بررسی کرد.
کردرستمی با تاکید بر اینکه برای محاسبه مشخصات این نوع نانو ترانزیستورها با استفاده از برنامه MATLAB، نرم افزاری تهیه کردیم خاطرنشان کرد: انجام این پژوهش می تواند شرکتهای سازنده مدارهای مجتمع را که تمایل به کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورها دارند به ساخت این ادوات نانومتری امیدوارتر کند.
نظر شما