به گزارش خبرگزاری مهر، دانشمندان مرکز کاربردهای نانو یونیکس دانشگاه ایالت آریزونا با همکاری مرکز تحقیقات ژولیش آلمان که نتایج تحقیقات خود را در مجله Ieee Transactions on Electron Devices منتشر کرده اند، با استفاده از یک ترکیب ویژه مواد و یک سیستم مقاومت بارهای الکتریکی روشی را ارائه کردند که می تواند توانایی ذخیره حافظه های دستگاه های الکترونیکی مثل دوربین های دیجیتال و رایانه های قابل حمل را تا حد چشمگیری افزایش دهد.
محدودیت های فیزیکی باعث می شود که تنها مقدار مشخصی از اطلاعات در یک فضای حافظه ذخیره شوند. بیشتر دستگاه ها اطلاعات را به شکل تراکم و یا عبور بارهای الکتریکی ذخیره می کنند. در زبان صفر و یک رایانه ها، حضور بار به "یک" ترجمه می شود، درحالی که فقدان آن به معنی "صفر" است. مشکل این نوع فناوری در این است که کوچک شدن ابعاد دستگاه باعث می شود که بار کمتری متراکم شود.
این محققان برای رفع این مشکل دو روش متفاوت را پیگیری کردند. در روش اول ترکیب جدیدی از مواد را شامل مس و دی اکسید سیلیکون بدست آوردند و در روش دوم این مواد را توسط یک سیستم حافظه برپایه بارهای الکتریکی و مقاومت ها عبور دادند.
براساس گزارش ساینس دیلی، این تیم یک ذره در ابعاد یک ویروس را بین الکترودها برای عبور از یک مقاومت بالا به یک مقاومت پایین عبور دادند و موفق شدند با این روش سیستمی را برای ذخیره سازی بیت های چندگانه تنها در یک سایت تراشه توسعه دهند.
به گفته این محققان، پیش از این ترکیب سیلیکون با مقدار کمی از مواد نیمه هادی مثل بور، آرسنیک و یا فسفر برای تولید تراشه های با امکان ذخیره سازی حجم وسیعی از اطلاعات بدست آمده بود اما تاکنون برای ذخیره سازی اطلاعات از طریق یک دامنه وسیع از ارزش های مختلف مقاومت از ترکیب مس با دی اکسید سیلیکون استفاده نشده بود.
این دانشمندان برای توسعه این ابزار مطالعاتی نیز درخصوص کاربردهای پدیده ها و اتصالات موثر برای انتقال سریع ذرات باردار(یون ها) در سطوح نانومتری انجام دادند.
این فناوری کم مصرف و قابل انتقال در مقیاس نانویی است. به همین منظور درحال حاضرشرکت های مختلف تولید کننده تراشه نسبت به تولید این نوع حافظه ابزار تمایل کرده اند. بطوری که این محصول می تواند ظرف چند سال آینده وارد بازار شود.
نظر شما