به گزارش خبرگزاری مهر، "آی بی ام" و هیتاچی، بزرگترین شرکت الکترونیکی ژاپن به منظور ساخت قویترین نیمه هادی دنیا تحقیقات مشترکی را در زمینه تراشه های در ابعاد نانویی انجام می دهند.
این همکاری در چارچوب بررسی مواد و ساختارهایی برای ساخت ترانزیستورهای در ابعاد 22 تا 32 نانومتری است.
یک نانومتر برای با یک میلیونیم میلیمتر است و بنابراین ساخت ترانزیستوری در این ابعاد می تواند در تولید تراشه هایی به کار رود که توانایی افزایش قابل ملاحظه سرعت پردازش را دارند.
این دو شرکت در این همکاری می توانند هزینه های خود را برای توسعه این فناوری جدید تقسیم کنند. در حقیقت پیش از این اینتل برای انجام تحقیقات خود در تولید تراشه های 45 نانومتری 9 میلیارد دلار سرمایه گذاری کرده بود.
تاکنون "آی بی ام" توافقنامه های همکاری را برای انجام تحقیقات دیگری با شرکتهای مختلف از جمله توشیبا، "ای ام دی" و STMicroelectronics به امضا رسانده است.
این شرکت تاکنون جزئیات سرمایه گذاری خود را برای قویترین و کوچکترین نیمه هادی دنیا منتشر نکرده و تنها اعلام کرده است که سال گذشته در بخش تحقیقات و توسعه خود 2/6 میلیارد دلار سرمایه گذاری کرده است.
براساس گزارش وب نیوز، همکاریهای مشترک "آی بی ام" و هیتاچی در شرایطی آغاز می شود که اینتل به تازگی اعلام کرده است که از نیمه دوم سال 2009 تراشه های 32 نانو متری خود را وارد بازار می کند.
نظر شما