به گزارش خبرگزاری مهر، فیزیکدانان ژاپنی با استفاده از تغییرات مغناطیسی موفق با ارائه شیوه ای برای تولید حافظه رایانه با عملکرد بالا شدند.
شیوه عملکرد دیسکهای سخت رایج در رایانه های امروزی استفاده از الکترومغناطیس برای ضربه زدن به توده ای از دامنه های مغناطیسی (محدوده های باریکی در درون مواد مغناطیسی که به تنهایی دارای خصوصیات مغناطیسی اعم از نیروی مغناطیسی و قطب های شمال و جنوب هستند) برای ایجاد نوسان در میان دو جهت مشخص است تا از این طریق صفر و یک های دیجیتال را کدگذاری کند. حافظه موقت رایانه ها (RAM) نیز از این شیوه استفاده می کند.
اما محققان ژاپنی ها اثبات کردند که می توان دامنه های مغناطیسی را در مواد نیمه رسانا و بدون استفاده از آهن ربا یا مغناطیس تغییر داد. آنها برای انجام این نظریه از یک میدان الکتریکی که با اعمال نیروی الکتریکی در نزدیکی یک الکترود ایجاد شده بود، در تغییر دامنه مغناطیسی استفاده کرده و نشان دادند این عمل می تواند ضربه زدن به دامنه های مغناطیسی را ساده تر و موثرتر از آنچه اکنون هست، کرده و حافظه ای فشرده تر و سریع تر را ایجاد کند.
همچنین دانشمندان برای اولین بار با استفاده از اعمال میدان الکتریکی در تغییر چگالی حاملان بارهای الکتریکی اثبات کردند که این تغییر چگالی می تواند مسیر دامنه های مغناطیسی را تا 10 درجه تغییر مسیر داده و در شرایط ایده آل، صفر و یک های دیجیتالی را در جهت معکوس قرار دهد.
بر اساس گزارش نیوساینتیست، به گفته محققان در صورتی که بتوان میزان این چرخش را با استفاده از تنظیم شیمیایی مواد به 180 درجه رساند، می توان از این شیوه در ساخت سلول های حافظه ای حافظه های MRAM استفاده کرد.
در حال حاضر محققان در تلاشند با ایجاد تغییرات شیمیایی بتوانند میزان چرخش دامنه ها را افزایش داده و همچنین با ایجاد شیوه ای جدید در استفاده از میدانهای الکتریکی از میزان مصرف انرژی حافظه های رایانه ای بکاهند.
نظر شما