پیام‌نما

الَّذِينَ أُخْرِجُوا مِنْ دِيَارِهِمْ بِغَيْرِ حَقٍّ إِلَّا أَنْ يَقُولُوا رَبُّنَا اللَّهُ وَ لَوْلَا دَفْعُ اللَّهِ النَّاسَ بَعْضَهُمْ بِبَعْضٍ لَهُدِّمَتْ صَوَامِعُ وَبِيَعٌ وَ صَلَوَاتٌ وَ مَسَاجِدُ يُذْكَرُ فِيهَا اسْمُ‌اللَّهِ كَثِيرًا وَ لَيَنْصُرَنَّ‌اللَّهُ مَنْ يَنْصُرُهُ إِنَّ‌اللَّهَ لَقَوِيٌّ عَزِيزٌ * * * همانان که به ناحق از خانه‌هایشان اخراج شدند [و گناه و جرمی نداشتند] جز اینکه می‌گفتند: پروردگار ما خداست و اگر خدا برخی از مردم را به وسیله برخی دیگر دفع نمی‌کرد، همانا صومعه‌ها و کلیساها و کنیسه‌ها و مسجدهایی که در آنها بسیار نام خدا ذکر می‌شود به شدت ویران می‌شدند؛ و قطعاً خدا به کسانی که [دین] او را یاری می‌دهند یاری می‌رساند؛ مسلماً خدا نیرومند و توانای شکست‌ناپذیر است. * * كسى كاو دهد يارى كردگار / بود ياورش نيز پروردگار

۲۰ مهر ۱۳۸۹، ۱۰:۲۴

توسعه روش جدیدی برای ساخت پیلهای فتوولتائیک پلاستیکی ارزان

فیزیکدانان آمریکایی با استفاده از یک تکنیک طیف نگاری جدید و بررسی نیمه رساناهای آلی، روشی را یافتند که می تواند در تولید پیلهای فتوولتائیک پلاستیکی ارزان کاربرد داشته باشد.

به گزارش خبرگزاری مهر، دانشمندان دانشگاه راتجرز در تحقیقات خود نشان دادند که چگونه در نیمه رساناهای آلی، ذراتی که انرژی را منتقل می کنند می توانند با سرعت هزاران برابر بیشتر از آن چیزی که تاکنون تصور می شد حرکت کنند.

ویتالی پودزروف، سرپرست این تیم تحقیقاتی در این خصوص توضیح داد: "نیمه رساناهای آلی هم برای ساخت پیلهای فتوولتائیک خورشیدی و هم برای سایر مصارف از جمله نمایشگرهای الکترونیکی از پتانسیهای بسیار بالایی برخوردارند. امید است که روزی بتوان این ابزارها را با ورقه های پلاستیکی ساخت."

این دانشمندان مشاهده کردند که ذرات اکسیتون در یک کریستال کاملا خالص یک نیمه رسانای آلی که "روبرن" (Rubrene) نامیده می شود تا مسافت نسبتا دور (چند میکرون) منتشر می شوند.

این درحالی است که تاکنون تنها انتشار اکسیتونها در این مواد تا فاصله کمتر از 20 نانومتر مشاهده شده بود.

اکسیتونها ذراتی هستند که وقتی مواد نیمه رسانا فوتونها را جذب می کنند تشکیل می شوند. این ذرات زمانی که به نقطه اتصال یک نیمه رسانا می رسند می توانند یک اختلاف پتانسیل را ایجاد کنند.

به همین علت اگر تنها چند ده نانومتر حرکت کنند تنها اکسیتونهای نزدیکتر به اتصالات نیمه رسانا می توانند یک شدت الکتریکی ایجاد کنند. این چیزی است که در پیلهای فتوولتائیکی آلی فعلی وجود دارد و به همین علت بازده تبدیل انرژی این پیلها بسیار پایین است.

ویتالی پودزروف در این خصوص توضیج داد: "ما در پیلهای فتوولتائیک فعلی 99 درصد از نور خورشید را از دست می دهیم، اما اکنون برای اولین بار ما توانستیم حرکت اکسیتونها را در مسافت دو تا 8 میکرون مشاهده کنیم. این نتیجه با نتایجی که از نیمه رساناهای غیرآلی همچون سیلیسیوم و یا آرسنیک گالیوم به دست می آید برابر است. به محض اینکه فاصله گسترش اکسیتون به حدی می رسد که با طول جذب نور قابل قیاس می شود می توان میزان بیشتری از نور خورشید را برای تبدیل کردن به انرژی جمع آوری کرد."

براساس گزارش نیچر، این محققان برای رسیدن به این نتایج از یک روش جدید برپایه طیف نگار اپتیکی برای اندازه گیری اکسیتونها استفاده کردند در حقیقت از آنجا که این ذرات بدون بار الکتریکی هستند به سختی با روشهای فعلی رصد می شوند.

کد خبر 1169186