پیام‌نما

وَاعْتَصِمُوا بِحَبْلِ‌اللَّهِ جَمِيعًا وَ لَا تَفَرَّقُوا وَ اذْكُرُوا نِعْمَتَ‌اللَّهِ عَلَيْكُمْ إِذْ كُنْتُمْ أَعْدَاءً فَأَلَّفَ بَيْنَ قُلُوبِكُمْ فَأَصْبَحْتُمْ بِنِعْمَتِهِ إِخْوَانًا وَ كُنْتُمْ عَلَى شَفَا حُفْرَةٍ مِنَ النَّارِ فَأَنْقَذَكُمْ مِنْهَا كَذَلِكَ يُبَيِّنُ‌اللَّهُ لَكُمْ آيَاتِهِ لَعَلَّكُمْ تَهْتَدُونَ * * * و همگی به ریسمان خدا [قرآن و اهل بیت (علیهم السلام)] چنگ زنید، و پراکنده و گروه گروه نشوید؛ و نعمت خدا را بر خود یاد کنید آن گاه که [پیش از بعثت پیامبر و نزول قرآن] با یکدیگر دشمن بودید، پس میان دل‌های شما پیوند و الفت برقرار کرد، در نتیجه به رحمت و لطف او با هم برادر شدید، و بر لب گودالی از آتش بودید، پس شما را از آن نجات داد؛ خدا این گونه، نشانه‌های [قدرت، لطف و رحمت] خود را برای شما روشن می‌سازد تا هدایت شوید. * * * معتصم شو به رشته‌ى يزدان / با همه مردمان با ايمان

۲۰ مهر ۱۳۸۹، ۱۰:۲۴

توسعه روش جدیدی برای ساخت پیلهای فتوولتائیک پلاستیکی ارزان

توسعه روش جدیدی برای ساخت پیلهای فتوولتائیک پلاستیکی ارزان

فیزیکدانان آمریکایی با استفاده از یک تکنیک طیف نگاری جدید و بررسی نیمه رساناهای آلی، روشی را یافتند که می تواند در تولید پیلهای فتوولتائیک پلاستیکی ارزان کاربرد داشته باشد.

به گزارش خبرگزاری مهر، دانشمندان دانشگاه راتجرز در تحقیقات خود نشان دادند که چگونه در نیمه رساناهای آلی، ذراتی که انرژی را منتقل می کنند می توانند با سرعت هزاران برابر بیشتر از آن چیزی که تاکنون تصور می شد حرکت کنند.

ویتالی پودزروف، سرپرست این تیم تحقیقاتی در این خصوص توضیح داد: "نیمه رساناهای آلی هم برای ساخت پیلهای فتوولتائیک خورشیدی و هم برای سایر مصارف از جمله نمایشگرهای الکترونیکی از پتانسیهای بسیار بالایی برخوردارند. امید است که روزی بتوان این ابزارها را با ورقه های پلاستیکی ساخت."

این دانشمندان مشاهده کردند که ذرات اکسیتون در یک کریستال کاملا خالص یک نیمه رسانای آلی که "روبرن" (Rubrene) نامیده می شود تا مسافت نسبتا دور (چند میکرون) منتشر می شوند.

این درحالی است که تاکنون تنها انتشار اکسیتونها در این مواد تا فاصله کمتر از 20 نانومتر مشاهده شده بود.

اکسیتونها ذراتی هستند که وقتی مواد نیمه رسانا فوتونها را جذب می کنند تشکیل می شوند. این ذرات زمانی که به نقطه اتصال یک نیمه رسانا می رسند می توانند یک اختلاف پتانسیل را ایجاد کنند.

به همین علت اگر تنها چند ده نانومتر حرکت کنند تنها اکسیتونهای نزدیکتر به اتصالات نیمه رسانا می توانند یک شدت الکتریکی ایجاد کنند. این چیزی است که در پیلهای فتوولتائیکی آلی فعلی وجود دارد و به همین علت بازده تبدیل انرژی این پیلها بسیار پایین است.

ویتالی پودزروف در این خصوص توضیج داد: "ما در پیلهای فتوولتائیک فعلی 99 درصد از نور خورشید را از دست می دهیم، اما اکنون برای اولین بار ما توانستیم حرکت اکسیتونها را در مسافت دو تا 8 میکرون مشاهده کنیم. این نتیجه با نتایجی که از نیمه رساناهای غیرآلی همچون سیلیسیوم و یا آرسنیک گالیوم به دست می آید برابر است. به محض اینکه فاصله گسترش اکسیتون به حدی می رسد که با طول جذب نور قابل قیاس می شود می توان میزان بیشتری از نور خورشید را برای تبدیل کردن به انرژی جمع آوری کرد."

براساس گزارش نیچر، این محققان برای رسیدن به این نتایج از یک روش جدید برپایه طیف نگار اپتیکی برای اندازه گیری اکسیتونها استفاده کردند در حقیقت از آنجا که این ذرات بدون بار الکتریکی هستند به سختی با روشهای فعلی رصد می شوند. 

کد خبر 1169186

نظر شما

شما در حال پاسخ به نظر «» هستید.
  • نظرات حاوی توهین و هرگونه نسبت ناروا به اشخاص حقیقی و حقوقی منتشر نمی‌شود.
  • نظراتی که غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با خبر باشد منتشر نمی‌شود.
  • captcha