به گزارش خبرگزاری مهر، محققان دانشگاه ناگویا در ژاپن و دانشگاه "آلتو" در فنلاند تکنیکی را ارائه کردند که می تواند ترانزیستورهای برپایه نانولوله های کربنی انعطاف پذیر را به روشی ارزان و با راندمان بالا تولید کند.
اولین محصولات تجاری برپایه این تکنیک می توانند ظرف 5 سال آینده وارد بازار شوند و در تولید دستگاههای انعطاف پذیر از جمله کاغذهای الکترونیکی و برچسبهای RFID مورد استفاده قرار گیرند.
این دانشمندان با استفاده از این تکنیک موفق شدند ترانزیستور غشای نازک (TFT) را بر روی یک زیرلایه پلاستیکی تولید کنند.
تاکنون شبکه های نانولوله ها قادر نبودند توانایی قابل قیاسی با توانایی ترانزیستورهای برپایه نانولوله های منفرد را ارائه کنند، چراکه خواص رسانایی نانولوله های شبکه ای در طول مسیر فرایند، هدر می رود.
شبکه های نانولوله ها هم محتوی نانولوله های فلزی و هم محتوی نانولوله های نیمه رسانا هستند.
در این شبکه ها تعداد بسیار زیاد نانولوله های فلزی، حرکت حاملان بار الکتریکی ترانزیستور را افزایش می دهد، اما همزمان رابطه روشن و خاموش را کاهش می دهد.
از آنجا که هر دوی این ویژگیها برای عملکردهای کلی ترانزیستور بسیار مهم هستند، این دانشمندان روشی را برای بهبود عملکرد این دو ویژگی پیدا کرده و موفق شدند شبکه ای از نانولوله های با خواص واحد و یکسان را ایجاد کنند.
این شبکه از نانولوله های 10 میکرومتری تشکیل شده است که 30 درصد از آنها فلزی هستند. میان این نانولوله ها بیشتر از اینکه از مفصلهای X مانند استفاده شود مفصلهای Y مانند به کار رفته اند. چراکه مفصلهای Y فضای اتصال بزرگتری نسبت به مفصلهای X دارند و مقاومت مفصل را کاهش می دهند.
سپس ترانزیستور غشای نازکی که به دست آمده بود از یک فیلتر به یک پلاستیک منتقل شد. این پلاستیک یک غشای تک شکلی را ارائه می کرد.
براساس گزارش PhysOrg.com، به این ترتیب، شبکه نانولوله های به دست آمده اجازه داد که یک TFT ویژه ساخته شود که همزمان حرکت حاملان بار الکتریکی و رابطه روشن و خاموش را حفظ می کرد و به این ترتیب بازده و عملکرد این ترانزیستور تا حد قابل ملاحظه ای نسبت به ترانزیستورهای گذشته برپایه نانولوله ها بهبود یافت.
نظر شما