ساخت یک گرافن دولایه با نوار شکافنده

به گزارش خبرگزاری مهر، ماده جدید گرافن یک بلور دو بعدی از کربن است و امکان حرکت الکترونها را به روشی استثنائی امکانپذیر می کند.

اکنون محققان لابراتوار ملی لارنس برکلی وزارت انرژی آمریکا در تازه ترین تحقیقات خود دریافتند که هرچند امکان ساخت ترانزیستورهای با اثر میدانی بسیار بالا با استفاده از گرافن وجود دارد اما هیچ نوار شکافنده ای در این ماده نیست که بتواند ترانزیستور را خاموش کند.

این دانشمندان در این خصوص اظهار داشتند: "اگر شما بتوانید به یک گرافن با نوار شکافنده دست یابید قادر خواهید بود یک ترانزیستور را بسیار خوب را بسازید."

پژوهشگران آمریکایی در ادامه تحقیقات خود موفق شدند در یک گرافن دو لایه یک نوار شکافنده را ایجاد کنند که می تواند به دقت، جریان صفر تا 250 میلی الکترون ولت را کنترل کند.

این گرافن دو لایه را در میان لایه هایی از دی اکسید سیلیکون و اکسید آلومینیوم شفاف احاطه شده است. نتایج این تحقیقات که در مجله نیچر منتشر شده است می تواند راه جدیدی در عرصه نانو الکترونیک و نانو فتونیک ارائه کند.