به گزاش خیرگزاری مهر، سهراب سنجابی - دانش‌آموخته دکتری مهندسی مواد دانشگاه صنعتی شریف، هدف اصلی از این پژوهش را تولید آلیاژهای حافظه دار نانوساختار از عناصر خالص ذکر کرد و گفت: لایه نازک نانوساختار این آلیاژهای حافظه دار بر پایه NiTi، به کمک روش "کند و پاش" و تحت شرایط خلاء UHV، تولید شده است.
وی روش مورد استفاده در این پروژه در مقایسه با روشهای دیگر را بسیار مقرون به صرفه دانست و افزود: در این روش می‌توان با کنترل پارامترهای دستگاه "کند و پاش" هر گونه ترکیبی از آلیاژهای NiTi را به صورت دوتایی و سه تایی تولید کرد و خواص حافظه داری آلیاژها را در دماهای پایین، دمای اتاق و دمای بالا تا 400˚C به دست آورد.
عضو هیئت علمی گروه نانوفناوری دانشگاه تربیت مدرس ادامه داد: در این پژوهش از عناصر خالص Ni، Ti برای رشد لایه نازک NiTi با ترکیبات مختلف و عناصر دیگر چون Hf برای رشد لایه نازک قابل استفاده در دمای بالا (NiTiHf) استفاده شده است. به طور خلاصه با کنترل فشار گاز آرگون، دمای رشد و نسبت توان اعمالی به تارگتها در دستگاه "کند و پاش"، می‌توان هر گونه آلیاژ حافظه داری با ترکیب خاص و به صورت لایه نازک تولید کرد.
به گفته مجری طرح، مشخصه یابی لایه ها توسط دستگاههای XRD، FESEM، TEM، DSC، Electerical Resistivity و AFM انجام گرفته است.
سنجابی با بیان اینکه این آلیاژ به صورت لایه نازک در ساخت میکرووالوها، میکروپمها، MEMS، BioMEMS، میکرولوله های هوشمند، نانوروباتها و نانوچنگها کاربرد دارد، افزود: همچنین می توان از آن در صنایع هواپیمایی، مهندسی پزشکی، مهندسی بافت، جراحی قلب آنژیوگرافی و ارتودنسی استفاده کرد.
نظر شما