به گزارش خبرگزاری مهر، این سیستم متشکل از آرایه هایی از سلول های حافظه مغناطیسی است که اطلاعات درست همچون جریان مغناطیسی عناصر کوچک فرومغناطیسی در آن ذخیره می شوند.
در حافظه های مغناطیسی معمول برای نگارش این عناصر از دو جریان متقاطع تپشی جهت تولید میدان مغناطیسی ترکیبی استفاده می شود تا عناصر مغناطیسی برگزیده برگردانده شوند.
بنا بر گزارش پایگاه اطلاع رسانی Nanoforum ، محققان به جای استفاده از طرح رایج ساخت حافظه های مغناطیسی از انشعابات تونلی مغناطیسی حلقه ای شکل در مقیاس نانو بهره گرفتند. قطر داخلی و بیرونی این حلقه های حافظه ای در حدود 50 و 100 نانومتر بود.
این تیم تحقیقاتی مدعی است: طرح جدید آنها مصرف انرژی حافظه مغناطیسی و اندازه سلول حافظه ای را کاهش می دهد.
یک سلول این سیستم جهت تکمیل مرحله نگارش به جریان 500 تا 650 میکروآمپری نیاز دارد و برای اتمام مرحله خواندن سلولی نیز جریان 10 تا 20 میکروآمپری به کار می آید. پیشرفت سیستم جریان نگارش را 100 تا 200 میکروآمپر کاهش می دهد.
نظر شما