پیام‌نما

إِنَّ الَّذِينَ آمَنُوا وَ عَمِلُوا الصَّالِحَاتِ سَيَجْعَلُ لَهُمُ الرَّحْمَنُ وُدًّا * * * * قطعاً کسانی که ایمان آورده و کارهای شایسته انجام داده اند، به زودی [خدای] رحمان برای آنان [در دل ها] محبتی قرار خواهد داد. * * مؤمنى را كه هست نيكوكار / بهر او مهر مى‌دهد دادار

موفقیت محققان کشور در تولید نانو سنسورها با مقاومت بالا

موفقیت محققان کشور در تولید نانو سنسورها با مقاومت بالا

پژوهشگران ایرانی موفق به تهیه نانولایه هایی برای ساخت سنسورهای میدان مغناطیسی با مقاومت مغناطیسی بزرگ شدند.

به گزارش خبرگزاری مهر، سیده مریم بنی هاشمیان- مجری طرح در این باره گفت: با ایجاد ساختار نانومتری از فلزات "پلاتین"، "مس" و "روی" ساختار سیلیکون– سیلیکون دی اکسید (Si/SiO2/CuPt)، توانستیم میدان مغناطیسی ضعیف کمتر از 6 میلی تسلا را در دمای نیتروژن مایع آشکارسازی کنیم و با اجرای این پروژه گامی در تولید سنسورهای میدان مغناطیسی با مقاومت مغناطیسی بزرگ برداریم.

وی افزود: در این پروژه با استفاده از لیتوگرافی UV و لایه نشانی الکترون بیم، لایه بسیار نازکی از سیلیکون دی اکسید را روی سیلیکون تمیز شده با فرایند استاندارد کلینینگ و روش پلاسمایی، لایه نشانی کردیم و لایه ای حدود 5 نانومتر روی بستر سیلیکون ایجاد شد همچنین با استفاده از کنترل فشار و آهنگ لایه نشانی، نانولایه مس- پلاتین را روی سیلیکون- سیلیکون دی‌اکسید، با اندازه کمتر از 8 نانومتر ایجاد کردیم.

هاشمیان ادامه داد: پس از این مرحله، با انجام فرایند آنیلینگ و سیم زنی نمونه های ساخته شده را با میدان مغناطیسی کمتر از 6 میلی تسلا آشکارسازی کردیم و با دستگاههای اندازه گیری شامل AFM،SEM ، RBS نانولایه ها را مورد بررسی قرار دادیم.

هاشمیان به کاربردهای این نانو ساختار اشاره کرد و اظهار داشت: نانوساختارهای تولید شده می ‌تواند در سنسورهای میدان مغناطیسی حافظه مغناطیسی و بیوسنسورها به کار رود. 

کد خبر 1023901

نظر شما

شما در حال پاسخ به نظر «» هستید.
  • نظرات حاوی توهین و هرگونه نسبت ناروا به اشخاص حقیقی و حقوقی منتشر نمی‌شود.
  • نظراتی که غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با خبر باشد منتشر نمی‌شود.
  • captcha