به گزارش خبرگزاری مهر، سیده مریم بنی هاشمیان- مجری طرح در این باره گفت: با ایجاد ساختار نانومتری از فلزات "پلاتین"، "مس" و "روی" ساختار سیلیکون– سیلیکون دی اکسید (Si/SiO2/CuPt)، توانستیم میدان مغناطیسی ضعیف کمتر از 6 میلی تسلا را در دمای نیتروژن مایع آشکارسازی کنیم و با اجرای این پروژه گامی در تولید سنسورهای میدان مغناطیسی با مقاومت مغناطیسی بزرگ برداریم.
وی افزود: در این پروژه با استفاده از لیتوگرافی UV و لایه نشانی الکترون بیم، لایه بسیار نازکی از سیلیکون دی اکسید را روی سیلیکون تمیز شده با فرایند استاندارد کلینینگ و روش پلاسمایی، لایه نشانی کردیم و لایه ای حدود 5 نانومتر روی بستر سیلیکون ایجاد شد همچنین با استفاده از کنترل فشار و آهنگ لایه نشانی، نانولایه مس- پلاتین را روی سیلیکون- سیلیکون دی‌اکسید، با اندازه کمتر از 8 نانومتر ایجاد کردیم.
هاشمیان ادامه داد: پس از این مرحله، با انجام فرایند آنیلینگ و سیم زنی نمونه های ساخته شده را با میدان مغناطیسی کمتر از 6 میلی تسلا آشکارسازی کردیم و با دستگاههای اندازه گیری شامل AFM،SEM ، RBS نانولایه ها را مورد بررسی قرار دادیم.
هاشمیان به کاربردهای این نانو ساختار اشاره کرد و اظهار داشت: نانوساختارهای تولید شده می تواند در سنسورهای میدان مغناطیسی حافظه مغناطیسی و بیوسنسورها به کار رود.
نظر شما